Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Анотація

Бар'єри Шоткі (БШ) на основі фосфіду галію (GaP) привертають увагу дослідників як перспективні структури для розробки різного роду радіаційно стійких електронних і електричних приладів, в тому числі високотемпературних приладів, приладів високочастотної силової електроніки, ультрафіолетової (УФ) фотоелектроніки і сонячної енергетики.

Робота присвячена дослідженню фотоелектричних властивостей поверхнево бар'єрних (ПБ) структур Au-паладій-n-GaP у видимій області спектра під дією як природного, так і поляризованого випромінювання, з метою отримання нових даних про висоту бар'єру, зонної структурі GaP і міжфазної межі розділу метал-напівпровідник.

Об'єктом дослідження є наноструктуровані структури Au-паладій-n-GaP. Вихідний матеріал для виготовлення структур – орієнтовані в кристалографічних площинах (100) пластинки n-GaP [n = (0.1-5) · 1017 см^-3, 300 К] товщиною 350-400 мкм, вирощені методом Чохральського.

Досліджуючи фоточутливість наноструктурованих структур типу Au-Pd-n-GaP в видимій області спектра можна отримати важливу інформацію про параметри потенційного бар'єру, зонної структури напівпровідника. Таким чином, проміжний нанослой Pd (Паладій) між GaP і Au товщиною 20-30 Å, створює в наноструктурі Au-Pd-n-GaP специфічні властивості, що мають важливе науково-практичне значення.