Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Автор(и)

  • Лінда Буджеміла Університет науки і технологій Хуарі Бумедьєн Баб Езуар, Алжир
  • Василій Рудь ФТІ ім. А.Ф. Йоффе, Російська Федерація
  • Доулбай Мелебаев Туркменський державний університет ім. Махтумкулі , Туркменістан
  • Вадим Давидов Санкт-Петербурзький Політехнічний університет Петра Великого , Російська Федерація
  • Мурал Шамухаммедова Туркменський державний університет ім. Махтумкулі , Туркменістан

DOI:

https://doi.org/10.20535/EHS.2021.233517

Ключові слова:

бар'єри Шоткі, сонячна енергетика, прилади високочастотної силової електроніки, високотемпературні прилади

Анотація

Бар'єри Шоткі (БШ) на основі фосфіду галію (GaP) привертають увагу дослідників як перспективні структури для розробки різного роду радіаційно стійких електронних і електричних приладів, в тому числі високотемпературних приладів, приладів високочастотної силової електроніки, ультрафіолетової (УФ) фотоелектроніки і сонячної енергетики.

Робота присвячена дослідженню фотоелектричних властивостей поверхнево бар'єрних (ПБ) структур Au-паладій-n-GaP у видимій області спектра під дією як природного, так і поляризованого випромінювання, з метою отримання нових даних про висоту бар'єру, зонної структурі GaP і міжфазної межі розділу метал-напівпровідник.

Об'єктом дослідження є наноструктуровані структури Au-паладій-n-GaP. Вихідний матеріал для виготовлення структур – орієнтовані в кристалографічних площинах (100) пластинки n-GaP [n = (0.1-5) · 1017 см-3, 300 К] товщиною 350-400 мкм, вирощені методом Чохральського.

Досліджуючи фоточутливість наноструктурованих структур типу Au-Pd-n-GaP в видимій області спектра можна отримати важливу інформацію про параметри потенційного бар'єру, зонної структури напівпровідника. Таким чином, проміжний нанослой Pd (Паладій) між GaP і Au товщиною 20-30 Å, створює в наноструктурі Au-Pd-n-GaP специфічні властивості, що мають важливе науково-практичне значення.

Посилання

  1. Nannichi V., Pearson G.L. Properties of GaP Schottky barrier diodes at elevated temperatures. Solid-State Electron.–Vol. 12, No. 5. -pp. 341-348. 1969.
  2. Gutkin A.A., Dmitriev M.V., Nasledov. Fotochuvstvitelnost poverkhnostno-baryernykh diodov Au-n-GaP v oblasti spektra 1.4-5.2 eV. // FTP. –Tom. 6, vyp. 3. -S. 502-508. 1972.
  3. Melebaev D. Gigantskaya fotochuvstvitelnost Au-Ga2O3(Fe)-n-GaP nanostruktur v UF oblasti spektra. Inzhenernyy zhurnal «Nanotekhnologiya» Rossiya, Moskva, No. 2(38). S. 106-109. 2014.
  4. Melebaev D. Fotopriemniki UF-izlucheniya na osnove nanostruktur Au-okisel-GaP. Tr. Mezhdunar. nauch.-tekhnch. konf. “Nanotekhnologii funktsionalnykh materialov”. –Rossiya, g.Sankt-Peterburg. -S. 114-115. -2010.
  5. Dobrovolskiy Yu.G. Fotodiody na osnove GaP s povyshennoy chuvstvitelnostyu v korotkovolnovoy oblasti UF-spektra. Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoy apparature. - No. 5. -S. 31-34. 2012.
  6. Berkeliev A., Goldberg Yu.A., Melebaev D., Tsarenkov B.V. Fotopriemnik vidimogo i ultrafioletovogo izlucheniya na osnove GaAs₁₋ₓPₓ poverkhnostno-baryernykh struktur. FTP, T. 10, vyp. 8, -S. 1532-1534. -1976.
  7. Konnikov S.G., Rud V.Yu., Rud Yu.V., Melebaev D., Berkeliev A., Serginov M. and Tilevov S. Photopleochroism of GaPₓAs₁₋ₓ Surface-Barrier Structures. Jpn. J. Appl. Phys. –Vol. 32, No. 3, p. 515-517. 1993.
  8. Melebaev D., Melebaeva G.D., Rud V.Yu., Rud Yu.V. Fotochuvstvitelnost i opredelenie vysoty baryerov Shotkki v strukturakh Au-n-GaAs. ZhTF. –T. 78. Vyp. 1. –S. 137-142. 2008.
  9. Konnikov S.T., Melebaev D., Rud Yu.V. Polyarimetricheskiy effekt v GaPₓAs₁₋ₓ poverkhnostno-baryernykh strukturakh. FTP, –T. 27, Vyp. 5, -S. 757-761. 1993.
  10. Fowler R.H. The analysis of Photoelectric Sensitivity curves for cleam metals at various temperatures. // Phys. Rev. - Vol. 38, No. 1, -p. 45-56. 1931.
  11. Spitzer W.G., Mead C.A. Conduction Band Minima of Ga(As₁₋ₓPₓ). Phys. Rev. -Vol. 133, No. 3A, -p. A872-A875. 1964.
  12. Berkeliev A., Goldberg Yu.A.. Imenkov A.N., Melebaev D., Rozyeva M.Kh. Fotoelektricheskiy metod opredeleniya parametrov varizonnykh poluprovodnikov. // Izv. AN TSSR. Ser. FTKh i GN. -No. 1, -S. 8-14. 1986.
  13. Kesamanly F.P., Rud Yu.V., Rud V.Yu. Navedennyy fotopleokhroizm v poluprovodnikakh. // FTP, 33. 5. S. 514-535. 1999.

##submission.downloads##

Опубліковано

2021-05-20

Як цитувати

Буджеміла, Л., Рудь, В., Мелебаев, Д., Давидов, В., & Шамухаммедова, М. (2021). Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP. Матеріали міжнародної науково-практичної конференції "Екологія. Людина. Суспільство", 99–102. https://doi.org/10.20535/EHS.2021.233517

Номер

2021: Матеріали XХII Міжнародної науково-практичної конференції «Екологія. Людина. Суспільство» (20-21 травня 2021 р., м. Київ, Україна)

Розділ

Розділ 2. Техноекологія

Ліцензія

Авторське право (c) 2021 Лінда Буджеміла , Василій Рудь, Доулбай Мелебаев, Вадим Давидов, Мурал Шамухаммедова

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.